Specifications
| Product Attribute | Attribute Value |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 标准包装数量 | 5000 |
| Rohs | 否 |
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TDSON-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 21 mOhms, 21 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 16 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC, 20 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| 配置 | Dual |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 1.27 mm |
| 长度 | 5.9 mm |
| 系列 | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 下降时间 | 10 ns, 10 ns |
| 上升时间 | 1.5 ns, 1.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns, 18 ns |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns, 5 ns |
| 零件号别名 | IPG20N06S4L26ATMA1 SP000705588 IPG2N6S4L26XT IPG20N06S4L26ATMA1 |
Datasheet
| Datasheet | Datasheet（PDF） |
|---|
Product Compliance
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290095 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| TARIC | 8542399000 |
| MXHTS | 8542399901 |
| ECCN | EAR99 |
