韩国媒体报导，一家韩国公司开发出一种新材料，有望显著提高荷兰半导体设备企业ASML的极紫外光微影曝光设备 (EUV) 的良率。

根据BusinessKorea的报导，半导体和显示材料开发商石墨烯实验室 (Graphene Lab) 近期宣布，其已开发出使用石墨烯制造、小于5纳米的EUV光罩护膜 (Pellicle) 技术，并已准备好进行量产。

Graphene Lab执行长Kwon Yong-deok表示，“光罩护膜过去是由硅制成的，但我们使用了石墨烯，这对于使用ASML的EUV微影曝光设备设备的半导体企业来说，石墨烯光罩护膜将成为晶圆制造良率的推进助力。”

光罩护膜是一种薄膜，可保护光罩表面免受空气中微分子或污染物的影响，这对于5纳米或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。另外，光罩护膜是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV微影曝光设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩护膜，但石墨烯会是一种更好的材料，因为石墨烯制造的光罩护膜比硅更薄、更透明。

报导强调，EUV光罩护膜必须能够承受曝光过程中发生的800度或更高的高温，所以其在高温下的硬化特性，硅制产品非常容易破裂。Graphene Lab指出，一旦石墨烯EUV光罩护膜受到采用，估计全球护膜市场到2024年将达到1万亿韩元的情况下，将有其极大商机。届时，包括台积电、三星电子、英特尔等在内的半导体企业都有望成为Graphene Lab的潜在客户。（文章来源：TechNews科技新报）